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J-GLOBAL ID：200902215885317322   整理番号：08A0930139

非晶質のSn-Ga-Zn-Oをチャネルとする薄膜トランジスタ

Amorphous Sn-Ga-Zn-O channel thin-film transistors

著者 (9件)： OGO Youichi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  NOMURA Kenji ,  YANAGI Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA Toshio (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA Toshio ,  HIRANO Masahiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  HIRANO Masahiro ,  HOSONO Hideo (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  HOSONO Hideo
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 205  号： 8  ページ： 1920-1924  発行年： 2008年08月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質のSn-Ga-Zn-O(a-SGZO)をチャネルとする薄膜トランジスタ(TFT)の作製と性能に関するポストアニーリングの効果を研究した結果を報告する。SGZOの非晶質構造は600°Cまで安定であることが分かった。室温で作製したa-SGZOを基本とするTFTの性能は,a-IGZOを基本とするTFTの性能よりも可成り劣ることが分かった。400°C以上でポストアニーリングを行うと,TFTの特性は大幅に改善され,飽和移動度は2cm²/(Vs),電流のオン/オフ比は10⁶,そしてサブ閾電圧スイングは5V/桁であることが分かった。堆積させたままのa-SGZO薄膜は非常に大きなサブギャップ吸収を示し,これはSnイオンの混入によって形成される欠陥状態に起因する。熱アニーリングによってUrbachテイルを含むサブギャップ状態が減少することが分かった。

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,  *酸化物 ,  スズ化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  チャネル ,  *薄膜トランジスタ ,  焼なまし ,  キャリア移動度 ,  閾値 ,  欠陥準位 ,  Urbach則 ,  閾値電圧
準シソーラス用語： 閾電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  Sn ,  Ga ,  Zn ,  チャネル ,  薄膜トランジスタ