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J-GLOBAL ID：200902216015319385   整理番号：04A0726913

GaN基板上に成長させたBNナノ膜の電界放出特性

Field emission characteristics of BN nanofilms grown on GaN substrates

著者 (4件)： LUO H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FUNAKAWA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHEN W (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  SUGINO T (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 22  号： 4  ページ： 1958-1963  発行年： 2004年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平滑なGaN基板及び表面の粗いGaN基板上に成長させた窒化ほ...

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング ,...

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分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  成長 ,  BN ,  ナノ膜 ,  電界放出