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J-GLOBAL ID：200902216096071528   整理番号：09A0162476

その場加熱SEM/EBSD(後方散乱電子回折)法による純アルミニウム箔の再結晶挙動の解析

著者 (4件)： 池田賢一 (九大 大学院総合理工学研究院) ,  高田尚記 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  波多聰 (九大 大学院総合理工学研究院) ,  中島英治 (九大 大学院総合理工学研究院)
資料名： 九州大学中央分析センター報告  (Report of the Center of Advanced Instrumental Analysis, Kyushu University)
号： 26  ページ： 8-14  発行年： 2008年12月31日 
JST資料番号： L0122A  ISSN： 0916-0892  CODEN： KDCHEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 結晶性材料の力学的性質や機能的性質や個々の結晶粒の結晶方位や結晶粒界の性質に依存するため,材料中の広範な結晶方位分布情報が重要である。そこでその場加熱SEM/EBSD(後方散乱電子回折)法を用いて,電解コンデンサ用の高純度アルミニウム箔の再結晶挙動について調べた。その結果箔製造工程の部分焼きなましと付加的軽圧延が立方体集合組織を発達させる主要因であること,粒成長は一次再結晶の成長挙動であること,立方体方位粒が他方位粒と比較して蓄積ひずみエネルギーが低く,この差を駆動力として粒成長していることがわかった。

シソーラス用語： *再結晶 ,  金属箔 ,  *アルミニウム ,  *電子回折 ,  後方散乱 ,  *電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  その場観察 ,  歪エネルギー ,  焼なまし ,  圧延
準シソーラス用語： *後方散乱電子回折 ,  走査電子顕微鏡法

分類 (2件)： 無機物質の物理分析一般  (CC03021Q) ,  非破壊試験  (HB02030F)

タイトルに関連する用語 (8件)： SEM ,  EBSD ,  後方散乱電子回折 ,  法 ,  アルミニウム箔 ,  再結晶 ,  挙動 ,  解析