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J-GLOBAL ID：200902217759571224   整理番号：08A0584421

MgB₂/Ni多層膜のJ_c-B特性

著者 (9件)： 土井俊哉 (鹿児島大) ,  日高祐貴 (鹿児島大) ,  白樂善則 (鹿児島大) ,  北口仁 (物質・材料研究機構) ,  高橋健一郎 (物質・材料研究機構) ,  波多聡 (九大) ,  SOSIATI Harini (九大) ,  池田賢一 (九大) ,  中島英治 (九大)
資料名： 低温工学・超電導学会講演概要集  (低温工学・超電導学会秋季講演概要集)
巻： 78th  ページ： 135  発行年： 2008年05月26日 
JST資料番号： G0564B  ISSN： 0919-5998  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 二ホウ化マグネシウム(MgB₂)は,金属系超伝導体の中で最高の超伝導転移温度(T_c=39K)を有している。また,構成元素が2種類と少ないことから組成制御が比較的容易であると考えられ,更に構成元素であるMgとBはいずれも資源的に豊富で安価であり,環境にも優しい。このようなことから,実用化に向けて精力的に研究開発が行われている。我々は,MgB₂中のピンニングセンターについての研究を系統的に進めてきており,これまでに柱状結晶の粒界,Bリッチ組成によって導入された欠陥,MgOが有効なピンニングセンターであることを報告してきた。今回,MgB₂薄膜中に異なる間隔で導入した極薄Ni層が極めて効果的にピンニングセンターとして働くことを報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *ホウ化物 ,  マグネシウム化合物 ,  超伝導材料 ,  ニッケル ,  *多層膜 ,  依存性 ,  磁場効果 ,  薄膜 ,  臨界電流 ,  *磁束ピン止め
準シソーラス用語： ホウ化マグネシウム ,  磁場依存性

分類 (2件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (5件)：

• KITAGUCHI, H. APL. 2004, 85, 2842
• NAGATOMO, K. Physica C. 2005, 426-431, 1459
• OKUZONO, M. IEEE Trans. Appl. Supercond. 2005, 15, 3253
• HARUTA, M. JAP. 2007, 102, 076114-1
• DOI, T. SUST. 2007, 20, 1223

タイトルに関連する用語 (3件)： MgB2 ,  Ni ,  多層膜