分子ビームエピタクシーを用いるAs<sub>2</sub>源を持つ歪緩和した組成傾斜InGaAsで被覆した1.3μmInAsの高密度量子ドット

AMANO Takeru; SUGAYA Takeyoshi; KOMORI Kazuhiro

文献

J-GLOBAL ID：200902218120424820 整理番号：05A0532887

分子ビームエピタクシーを用いるAs₂源を持つ歪緩和した組成傾斜InGaAsで被覆した1.3μmInAsの高密度量子ドット

Highest Density 1.3 μm InAs Quantum Dots Covered with Gradient Composition InGaAs Strain Reduced Layer Grown with an As₂ Source Using Molecular Beam Epitaxy

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巻： 44 号： 12-15 ページ： L432-L434 発行年： 2005年04月10日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

二量体ひ素(As₂)と高歪被覆層を用い...

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半導体レーザ , 半導体薄膜

引用文献 (8件)：

1) T. Akiyama, O. Wada, H. Kuwatsuka, T. Simoyama, Y. Nakano, K. Mukai, M. Sugawara and H. Ishikawa: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1753.
2) O. B. Shchekin and D. G. Deppe: IEEE Photon. Technol. Lett. 14 (2002) 1231.
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5) K. Yamaguchi, K. Yujobo and T. Kaizu: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1245.

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分子ビームエピタクシーを用いるAs2源を持つ歪緩和した組成傾斜InGaAsで被覆した1.3μmInAsの高密度量子ドット

分子ビームエピタクシーを用いるAs₂源を持つ歪緩和した組成傾斜InGaAsで被覆した1.3μmInAsの高密度量子ドット