分子線エピタクシーによる二次元GaN核形成のための動的に安定なガリウム誘起3×3-SiC(0001)面

JEGANATHAN K; SHIMIZU M; OKUMURA H

文献

J-GLOBAL ID：200902219414433514 整理番号：04A0304677

分子線エピタクシーによる二次元GaN核形成のための動的に安定なガリウム誘起3×3-SiC(0001)面

Dynamically stable gallium-induced 3×3-SiC (0001) surface for two-dimensional GaN nucleation by molecular-beam epitaxy

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巻： 95 号： 7 ページ： 3761-3764 発行年： 2004年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

題記の核形成について報告した。SiC(0001)面上に吸着し...

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半導体薄膜

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