文献

J-GLOBAL ID：200902220353182074   整理番号：05A0876436

低温の有機金属気相エピタキシャル法によって成長させたGaAs基板上のInGaAs層における貫通転位と相分離

Threading Dislocations and Phase Separation in InGaAs Layers on GaAs Substrates Grown by Low-Temperature Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

著者 (6件)： TAKANO Yasushi (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  KOBAYASHI Kazu (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  IWAHORI Hideaki (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  UMEZAWA Masayoshi (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  SHIRAKATA Sho (Ehime Univ., Matsuyama, JPN) ,  FUKE Shunro (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 9A  ページ： 6403-6411  発行年： 2005年09月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Inの組成比が0.50~0.57のInGaAs層を,有機金属...

シソーラス用語： MOCVD ,...
準シソーラス用語： MOVPE

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0876436&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： トリエチルガリウム

引用文献 (26件)：

• 1) L. Zimmermann, J. John, S. Degroote, G. Borghs, C. V. Hoof and S. Nemeth: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 2838.
• 2) M. K. Hudait, C. L. Andre, O. Kwon, M. N. Palmisiano and S. A. Ringel: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 697.
• 3) P. Ribas, V. Krishnamoorthy and R. M. Park: Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 1040.
• 4) M. T. Bulsara, V. Yang, A. Thilderkvist, E. A. Fitzgerald, K. Hausler and K. Eberl: J. Appl. Phys. 83 (1998) 592.
• 5) Y. Takano, M. Masuda, K. Kobayashi, K. Kuwahara, S. Fuke and S. Shirakata: J. Cryst. Growth 236 (2002) 31.

タイトルに関連する用語 (9件)： 低温 ,  有機金属 ,  気相 ,  エピタキシャル ,  成長 ,  GaAs基板 ,  InGaAs ,  貫通転位 ,  相分離