室温強磁性半導体のエピタキシャル成長と物理的性質 アナターゼ相Ti1-xCoxO2

YAMADA Y; TOYOSAKI H; TAMURA K; SEGAWA Y; NAKAJIMA K; AOYAMA T; HASEGAWA T; KOINUMA H; KAWASAKI M

文献

J-GLOBAL ID：200902222021585003 整理番号：04A0843266

室温強磁性半導体のエピタキシャル成長と物理的性質アナターゼ相Ti_1-xCo_xO₂

Epitaxial growth and physical properties of a room temperature ferromagnetic semiconductor: Anatase phase Ti_1-xCo_xO₂

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資料名：
巻： 96 号： 9 ページ： 5097-5102 発行年： 2004年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記強磁性半導体の強磁性の起源については諸説がある。ここでは...

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酸化物結晶の磁性 , 電気光学効果,磁気光学効果 , 酸化物薄膜 , その他の無機化合物の電気伝導

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室温強磁性半導体のエピタキシャル成長と物理的性質 アナターゼ相Ti1-xCoxO2

室温強磁性半導体のエピタキシャル成長と物理的性質アナターゼ相Ti_1-xCo_xO₂