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J-GLOBAL ID：200902222181908275   整理番号：04A0683676

軸方位(000-1)C面基板に化学蒸着による4H-SiCのホモエピタキシャル成長

Homoepitaxial growth of 4H-SiC on on-axis (0 0 0 <span style=text-decoration:overline>1</span>) C-face substrates by chemical vapor depositon

著者 (4件)： KOJIMA K (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KURODA S (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ARAI K (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 269  号： 2/4  ページ： 367-376  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常の軸方位基板に4H-SiCのホモエピタキシャル成長を行な...

シソーラス用語： 結晶方位 ,...
準シソーラス用語： ブレークダウン電圧

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 軸方位 ,  化学蒸着 ,  4H-SiC ,  ホモ ,  エピタキシャル成長