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J-GLOBAL ID：200902223871949175   整理番号：04A0196397

イオン照射アシストアニールによるa-SiGe/SiO₂中の増強された結晶核形成

Enhanced crystal nucleation in a-SiGe/SiO₂ by ion-irradiation assisted annealing

著者 (4件)： TSUNODA I (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KENJO A (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SADOH T (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIYAO M (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 224  号： 1/4  ページ： 231-234  発行年： 2004年03月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂上のa-Si<sub>1-x<...

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： イオン照射 ,  アシスト ,  アニール ,  SiGe ,  SiO2 ,  増強 ,  結晶核形成