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J-GLOBAL ID：200902224607130270   整理番号：04A0323388

Hf_xSi_1-xO₂堆積用のHfとSi先行体蒸気圧の飽和ガス法による評価

Vapor Pressure of Hf and Si Precursors for Hf_xSi_1-xO₂ Deposition Evaluated by a Saturated Gas Technique

著者 (5件)： MACHIDA H (TRI Chemical Lab. Inc., Yamanashi, JPN) ,  KADA T (TRI Chemical Lab. Inc., Yamanashi, JPN) ,  ISHIKAWA M (TRI Chemical Lab. Inc., Yamanashi, JPN) ,  OGURA A (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  OHSHITA Y (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 3  ページ： 966-967  発行年： 2004年03月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記高誘電率ゲート誘電体試料の作製に使用するHfとSiの先行...

シソーラス用語： 酸化物 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (4件)： テトラエトキシシラン ,  テトラキス(メチルエチルアミノ)ハフニウム ,  テトラキス(ジエチルアミノ)ハフニウム ,  テトライソシアナトシラン

引用文献 (13件)：

• 1) K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen and M. Leskela: Chem. Vap. Deposition 8 (2002) 199.
• 2) M. Ishikawa, H. Machida, A. Ogura and Y. Oshita: AMC2001 Proc., 2001, p. 667.
• 3) Y. Oshita, A. Ogura, M. Ishikawa, T. Kada and H. Machida: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L578.
• 4) K. Takahashi, M. Nakayama, S. Hino, E. Tokumitsu and H. Funakubo: Ext. Abstr. (63rd Autumn Meet. 2002);
•  Japan Society of Applied Physics and Related Societies, 24a-C-2.

タイトルに関連する用語 (6件)： 堆積 ,  HF ,  Si ,  蒸気圧 ,  飽和 ,  評価