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J-GLOBAL ID：200902224662222388   整理番号：08A0865784

HfO₂/Geゲートスタック構造のゲルマニウム表面のフッ素処理による特性改善

Characteristics improvement of HfO₂/Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface

著者 (4件)： LEE Hyun (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN) ,  LEE Dong Hun (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN) ,  KANASHIMA Takeshi (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN) ,  OKUYAMA Masanori (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 254  号： 21  ページ： 6932-6936  発行年： 2008年08月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素分子(F₂)-ゲルマニウム(Ge)表面の化学反応性とフッ素(F)-ゲルマニウム(Ge)結合の解離をシミュレ-トしGe表面上のFは水素に比し,より安定であることを示した。GeのMIS(金属絶縁体半導体)キャパシタを,F₂処理したGe(100)基板と光支援MOCVDで蒸着されたHfO₂膜を用いて作製した。HfO₂/GeゲートスタックのC-V曲線のこぶとして観測された界面状態密度とそのC-V履歴はGe表面のF₂処理により減少した。XPS(X線光電子分光)深さプロファイルは,HfO₂とGeの界面はサブオキサイド層(GeO_xあるいはHfGeO_x)でこれが界面状態密度の起源と信じられることを明らかにした。Fは,F₂処理したGe基板を用いれば容易に界面層に入れ込めた。これらの結果はHfO₂/Geゲートスタック構造の界面欠陥がFにより効果的に安定化可能であることを示した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  絶縁膜 ,  *ゲルマニウム ,  *フッ素化 ,  *MIS構造 ,  MOCVD ,  状態密度 ,  界面 ,  X線光電子スペクトル ,  深さプロフィル ,  容量電圧特性 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *光MOCVD

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： HfO2 ,  Ge ,  ゲートスタック ,  ゲルマニウム ,  フッ素処理 ,  特性改善