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J-GLOBAL ID：200902224953084250   整理番号：08A0241692

化学的拡大の概念に基づくフォトリソグラフィーによってイメージ化した物質の化学

Chemistry of photolithographic imaging materials based on the chemical amplification concept

著者 (2件)： MOON Seong-yun (Dep. of Chemical Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR) ,  KIM Jong-man (Dep. of Chemical Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR)
資料名： Journal of Photochemistry and Photobiology. C. Photochemistry Reviews  (Journal of Photochemistry and Photobiology. C. Photochemistry Reviews)
巻： 8  号： 4  ページ： 157-173  発行年： 2007年12月 
JST資料番号： W1244A  ISSN： 1389-5567  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスのために開発したフォトリソグラフィーによるイメージ物質の広い範囲で利用される化学に関する研究をまとめて再検討した。ノボラック/ジアゾナフトキノン系をベースにした従来のフォトレジストは数百nm以下のレリーフイメージの形成には適していない。248,193および157nmエキシマーレーザーなどのナノパターン形成に必要なUV深照射法をとるために,完全に違う方法が求められている。レジスト系のデザインに化学増幅の概念をとり込むことによって,写真工業に大きな突破口を与えた。化学増幅レジスト系では,化学的に形成された初期化分子によって化学変化が転送される。これはその後の露出焼付けにおいて展開されるレジスト系の化学的あるいは物理的性質に変化をもたらす。解重合や橋かけ結合法によるレジストポリマーの極性変化は化学増幅系において広く用いられてきた。遠紫外線,X線,電子ビーム,イオンビームのような高エネルギーの光子や荷電粒子を用いる放射レジストに関する化学も研究した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  分解能 ,  ナノ構造 ,  *化学増幅レジスト ,  エキシマレーザ ,  解重合 ,  架橋【高分子】 ,  真空紫外線 ,  X線リソグラフィー ,  電子ビームリソグラフィー ,  イオンビーム ,  レビュー ,  *パターン形成

分類 (2件)： その他の高分子の反応  (CG03040H) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (150件)：

• KIM, S. T. Polym. Sci. Technol. 2005, 16, 1, 4-19
• GARGINI, P. Solid State Technol. 1998, 41, 73-76
• DERBYSHIRE, K. Solid State Technol. 1997, 40, 133-138
• ITO, H. Polym. Eng. Sci. 1983, 23, 1012-1018
• ITO, H. Polymers in Electronics. 1984, 11-23

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学 ,  拡大 ,  概念 ,  フォトリソグラフィー ,  イメージ ,  物質