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J-GLOBAL ID：200902225186584515   整理番号：08A0700432

In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける改良アモルファス

Improved Amorphous In-Ga-Zn-O TFTs

著者 (11件)： HAYASHI Ryo (Canon Inc., Tokyo, JPN) ,  SATO Ayumu (Canon Inc., Tokyo, JPN) ,  OFUJI Masato (Canon Inc., Tokyo, JPN) ,  ABE Katsumi (Canon Inc., Tokyo, JPN) ,  YABUTA Hisato (Canon Inc., Tokyo, JPN) ,  SANO Masafumi (Canon Inc., Tokyo, JPN) ,  KUMOMI Hideya (Canon Inc., Tokyo, JPN) ,  NOMURA Kenji (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA Toshio (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  HIRANO Masahiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  HOSONO Hideo (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)  (Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻： 39  号： Book 2  ページ： 621-624  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： E0907A  ISSN： 0097-966X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： In-Ga-Zn-O ,  薄膜トランジスタ ,  アモルファス