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J-GLOBAL ID：200902225637022400   整理番号：08A0710374

二重パターニングリソグラフィーのためのEBマスク書き込みにおける精度の主要な改善スキーム

Key improvement Schemes of Accuracies in EB Mask Writing for Double Patterning Lithography

著者 (10件)： SUNAOSHI Hitoshi (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  KAMIKUBO Takashi (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  NISHIMURA Rieko (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  TSURUTA Kaoru (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  KATSUMATA Takehiko (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  OHNISHI Takayuki (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  ANZE Hirohito (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  TAKAMATSU Jun (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  YOSHITAKE Shusuke (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  TAMAMUSHI Shuichi (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 6792  ページ： 679208.1-679208.7  発行年： 2008年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重パターニングリソグラフィーについて,フォトマスク製造に関する画像配置及びCD一様性のエラー源を分析した。時間経過により誘起されるグローバルな画像配置エラーが,画像配置精度を劣化させる支配的な因子であった。その場グリッド測定法を提案して,グローバル画像配置エラーを抑制した。ブランク関連エラーにおける最大のエラー源の一つは,レジスト表面帯電効果であった。表面電荷問題を,レジスト層の頂部に電荷散逸層(CDL)をコートすることにより低減できた。実験結果は,高線量レジストが局所CD均一性及びパターン忠実度を改善することを示した。

シソーラス用語： *フォトマスク ,  誤り ,  精度 ,  帯電防止 ,  被覆 ,  フォトリソグラフィー ,  *電子ビームリソグラフィー ,  多重露光 ,  忠実度 ,  パターン形成
準シソーラス用語： *最小加工寸法 ,  直接描画 ,  CD均一性 ,  二重パターニング ,  二重露光

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 二重パターニング ,  リソグラフィー ,  EB ,  マスク ,  書き込み ,  スキーム