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J-GLOBAL ID：200902227323179278   整理番号：06A0265881

(411)A InP基板上にMBE成長したSiシートドープInAlAs膜のショットキー特性

著者 (5件)： 北田貴弘 (大阪大 大学院) ,  匂坂広志 (大阪大 大学院) ,  楠真一郎 (大阪大 大学院) ,  下村哲 (大阪大 大学院) ,  冷水佐寿 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 1  ページ： 336  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： InP ,  MBE成長 ,  Si ,  ドープ ,  InAlAs ,  ショット ,  キー