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J-GLOBAL ID：200902227730913369 整理番号：03A0549966

高誘電率酸化ランタン薄膜のMOCVD

MOCVD of High-Dielectric-Constant Lanthanum Oxide Thin Films

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資料名：
巻： 150 号： 8 ページ： G429-G435 発行年： 2003年08月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MOSFET用高誘電率ゲート材料の研究を目的として,基板温度...

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酸化物薄膜 , 塩基,金属酸化物 , 固体デバイス材料

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