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J-GLOBAL ID:200902229531167685   整理番号:09A0216433

LSI故障解析向けのレーザ-SQUID顕微鏡法の新しいアプローチ

New Approach of Laser-SQUID Microscopy to LSI Failure Analysis
著者 (6件):
資料名:
巻: E92-C  号:ページ: 327-333  発行年: 2009年03月01日 
JST資料番号: L1370A  ISSN: 0916-8524  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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LSIチップ上に存在する欠陥をローカライズするための2段階法を提案し,実証に成功した。最初のステップはLSIチップ走査の間にSQUIDとレーザビームを固定配置する。通常のレーザ-SQUID(L-SQUID)画像化と同じである。第二のステップでは,SQUID走査の間に最初のステップ中に結果として定位したポイントの位置にレーザビームをあらためて停止させ,その位置で新たなL-SQUID撮像を実行する。この第二のステップにおいては,SQUIDのサイズ(Aeff)およびSQUIDとLSIチップの間の距離(ΔZ)が空間分解能を制限する重要な要素となる。空間分解能を改善するために,微小SQUIDおよび,微小SQUIDとLSIチップ両者を収納する真空チャンバを開発した。微小SQUIDのAeffは通常のSQUIDのそれの1000倍である。ΔZの最低値は微小SQUIDとLSIチップの両者を同じ真空チャンバに配置することにより25μmまで低減することに成功した。第二ステップの空間分解能は53μmである。実際の複雑な欠陥の定位の実証に成功し,したがって,この結果はこの2段階定位法がLSI故障解析に有用であることを示唆している。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス計測・試験・信頼性  ,  Josephson接合・素子 
タイトルに関連する用語 (4件):
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