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J-GLOBAL ID：200902229629755992   整理番号：06A0269108

SiC基板上のマイクロパイプがAlGaN/GaN HEMTデバイス特性に与える影響

著者 (8件)： BANG H. (産業技術総合研) ,  佐沢洋幸 (新機能素子研究開発協) ,  三谷武志 (産業技術総合研) ,  中島信一 (産業技術総合研) ,  平田宏治 (新機能素子研究開発協) ,  小崎正芳 (新機能素子研究開発協) ,  柴田直樹 (新機能素子研究開発協) ,  奥村元 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 3  ページ： 1500  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： *マイクロパイプ

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC基板 ,  マイクロパイプ ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  デバイス特性