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文献
J-GLOBAL ID:200902230419799910   整理番号:06A0716292

ラテラルソース/ドレイン接合制御により作成したサブ10nmプラナバルクCMOSデバイスの特性化とモデリング

Characteristics and Modeling of Sub-10-nm Planar Bulk CMOS Devices Fabricated by Lateral Source/Drain Junction Control
著者 (15件):
資料名:
巻: 53  号:ページ: 1961-1970  発行年: 2006年09月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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CMOSデバイスのスケーリングは45nm世代を達成し,ゲート...
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  集積回路一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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