La2O3ゲート薄膜の電気特性に及ぼすメタライゼーション後のアニーリングの効果

文献

J-GLOBAL ID：200902230555405704 整理番号：05A0306883

La₂O₃ゲート薄膜の電気特性に及ぼすメタライゼーション後のアニーリングの効果

Effect of Post-Metallization Annealing on Electrical Characteristics of La₂O₃ Gate Thin Films

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巻： 44 号： 2 ページ： 1045-1051 発行年： 2005年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

酸化ランタン(La2O3<...

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金属-絶縁体-半導体構造 , 酸化物薄膜

引用文献 (10件)：

1) S. Inumiya, K. Sekine, S. Niwa, A. Kaneko, M. Sato, T. Watanabe, H. Fukui, Y. Kamata, M. Koyama, A. Nishiyama, M. Takayanagi, K. Eguchi and Y. Tsunashima: Symp. VLSI Tech. Dig. (2003) p. 17.
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3) C. H. Choi, S. J. Rhee, T. S. Jeon, N. Lu, J. H. Sim, R. Clark, M. Niwa and D. L. Kwong: IEDM Tech. Dig. (2002) p. 857.
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