ワイヤEDMによる単結晶シリコンインゴットの新しいスライシング法

文献

J-GLOBAL ID：200902231311994607 整理番号：03A0221823

A New Slicing Method of Monocrystalline Silicon Ingot by Wire EDM.

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資料名：
号： 8 ページ： 21-26 発行年： 2003年01月
JST資料番号： L3380A ISSN： 1341-7908 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

単結晶シリコンは,その優れた半導体特性から半導体産業で重要な...

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特殊加工

引用文献 (10件)：

ABE, T. Silicon Crystal Growth and Wafer Processing. 1996, 13
MAKINO, K. Slicing by Multi Wire Saw. J. of the Society of Grinding Engineers. 1997, 41,1, 16
BAN, Y. Silicon LSI and Chemistry. 1993, 85
UNO, Y. Fundamental Study on EDM of Single Crystalline Silicon. J. of JSPE. 1997, 63,10, 1459
SAITO, N. Principle of EDM and its Application. 1979, 26

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