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J-GLOBAL ID：200902232264154910   整理番号：04A0167379

多結晶シリコンの融体成長特性のその場観察

In-situ observations of melt growth behavior of polycrystalline silicon

著者 (6件)： FUJIWARA K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OBINATA Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  UJIHARA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  USAMI N (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAZAKI G (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NAKAJIMA K (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 262  号： 1/4  ページ： 124-129  発行年： 2004年02月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 顕微鏡と炉で構成するその場モニタシステムを開発して,融体から...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 多結晶シリコン ,  その場観察