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J-GLOBAL ID:200902232314882989   整理番号:08A0996402

BaTiO3-CoFe2O4マルチフェロイック化合物の磁場印加による強誘電特性の変性

Modification of Ferroelectric Properties of BaTiO3-CoFe2O4 Multiferroic Composite Thin Film by Application of Magnetic Field
著者 (5件):
資料名:
巻: 47  号: 9 Issue 2  ページ: 7603-7606  発行年: 2008年09月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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パルスレーザ蒸着により(La0.5Sr0.5)CoO3/CeO2/YSZ/Si(100)基板上にBaTiO3-CoFe2O4化合物薄膜を作製した。BaTiO3とCoFe2O4を同時エピタキシャル成長させた。逆空間マッピング測定により,基板に平行及び垂直な格子定数はそれぞれ0.4239及び0.4060nmであった。両格子定数がバルクの場合(a=0.3384,c=0.4038nm)の場合よりも大きいことから,BaTiO3はかなりの酸素空孔量を含むことが示唆されて,基板と平行方向に比較的強い張力が観測された。これらの結果は,このBaTiO3膜が(h00)配向であることを示している;しかし,X線回折では(001)配向成分に少量の(00l)配向成分も含まれてることを明確には検出できないと考えた。磁化-磁場(M-H)ヒステリシス測定から,これらの膜は7.0kOeと高い垂直保磁力を示すことが分かった。さらに,明らかな垂直磁気異方性が観測された。磁気力顕微鏡により磁区の分布が観察された。分極-電場(P-E)ヒステリシス測定により,BaTiO3-CoFe2O4複合膜は漏れ電流がかなりある弱い強誘電性を示すことが分かった。0.2Tの横磁場を印加するとP-E曲線の形状が変化することも分かった。この変化は以下二種類の可能性により生じると考えられる:(1)CoFe2O4の磁歪,及び(2)CoFe2O4又は(La0.5Sr0.5)CoO3の磁気抵抗。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
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強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  酸化物結晶の磁性  ,  酸化物薄膜 

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