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J-GLOBAL ID：200902232503205912   整理番号：09A1035371

パルスレーザ蒸着によるSrおよびZnを同時置換したBiFeO₃薄膜の作製と特性評価

Pulsed Laser Deposition and Characterization of Sr and Zn Co-Substituted BiFeO₃ Thin Films

著者 (5件)： PARK Jung Min (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKASHIMA Seiji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  GOTODA Fumiya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KANASHIMA Takeshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKUYAMA Masanori (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 9,Issue 2  ページ： 09KB03.1-09KB03.4  発行年： 2009年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着法によって,Bi_1.1Sr_xFe_0.9Zn_0.1O₃(x=0.05,0.1)(BSFZO),Bi_1.1Sr_xFe_0.9O₃(x=0.05,0.1)(BSFO),およびBi_1.1Fe_0.9Zn_0.1O₃ (BFZO)薄膜をPt/TiO₂/SiO₂/Si基板上に作製し,それらの強誘電性,および強磁性的性質を評価した。X線回折(XRD)パターンより,BSFOおよびBFZO薄膜はともにペロブスカイト型単一相であること,および,BSFO薄膜ではSrの組成が増すにつれて,ピークのシフトと分裂が起こることが分かった。BFZO薄膜は,BFO薄膜よりも低い漏れ電流を示し,そのP-EおよびM-Hヒステリシスループを観測することができた。BSFZO薄膜のXRDピークもまたBFO薄膜のそれよりもより低い角度へシフトした。80KでP-Eヒステリシスループを観測することができ,Bi_1.1Fe_0.9Zn_0.1O₃のx=0.05および0.1に対する残留分極値は,それぞれ,79,58μC/cm²となった。80KにおけるM-Hヒステリシスループも観測でき,最大磁場10kOeのx=0.05および0.1に対する残留磁化および保磁力は,それぞれ,1.1,6emu/cm³,および,222,792Oeであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： レーザ蒸着 ,  誘電体薄膜 ,  *キャラクタリゼーション ,  *薄膜成長 ,  *酸化物 ,  *鉄化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  強誘電性 ,  強磁性 ,  材料 ,  磁気電気効果 ,  X線回折 ,  漏れ電流 ,  残留分極 ,  保磁力 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *特性評価 ,  *置換効果 ,  マルチフェロイック ,  ヒステリシスループ

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

引用文献 (18件)：

• G. A. Smolenskii and I. Chupis: Sov. Phys. Usp. 25(1982)475.
• T. Kimura, T. Goto, H. Shintani, K. Ishizaka, T. Arima, and Y. Tokura: Nature (London) 426(2003)55.
• J. D. Bucci, B. K. Robertson, and W. J. James: J. Appl. Crystallogr.5(1972)187.
• A. J. Jacobson and B. E. F. Fender: J. Phys. C 8(1975)844.
• J. R. Teague, R. Gerson, and W. J. James: Solid State Commun.8(1970)1073.

タイトルに関連する用語 (8件)： パルスレーザ蒸着 ,  Sr ,  Zn ,  置換 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  作製 ,  特性評価