電気特性を改善するための高圧酸化によるGe/GeO<sub>2</sub>界面制御

LEE Choong Hyun; TABATA Toshiyuki; TABATA Toshiyuki; NISHIMURA Tomonori; NISHIMURA Tomonori; NAGASHIO Kosuke; NAGASHIO Kosuke; KITA Koji; KITA Koji; TORIUMI Akira; TORIUMI Akira

文献

J-GLOBAL ID：200902234457937442 整理番号：09A0812739

電気特性を改善するための高圧酸化によるGe/GeO₂界面制御

Ge/GeO₂ Interface Control with High-Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics

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資料名：
巻： 2 号： 7 ページ： 071404.1-071404.3 発行年： 2009年07月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Ge/GeO₂スタックの電気特性を改善するためにゲルマニウム(Ge)の高圧酸化(HPO)を調べた。高圧酸化で作製した金属/GeO₂/Geコンデンサの容量電圧特性は堆積後焼なましせずに電気的性質が向上し,界面状態密度が中間ギャップ付近で2×10¹¹eVcm^-2に低下した。さらに,熱酸化したGeO₂の屈折率が高圧酸化により増大した。Ge/GeO₂系の熱力学的視点から,Ge/GeO₂スタックからのGeO堆積は高圧酸化により効率的に抑制できると論じた。(翻訳著者抄録)

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LCR部品

引用文献 (15件)：

KUZUM, D. IEDM Tech. Dig., 2007. 2007, 709
TAKAHASHI, T. IEDM Tech. Dig., 2007. 2007, 697
YAMAMOTO, T. IEDM Tech. Dig., 2007. 2007, 1041
KITA, K. Appl. Surf. Sci. 2008, 254, 6100
WU, N. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3741

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