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J-GLOBAL ID：200902235802600533   整理番号：04A0711779

分子線エピタクシーによるSi(111)基板上のSi/β-FeSi₂/Si二重ヘテロ構造の成長と時間分解測定による光ルミネセンス

Growth of Si/β-FeSi₂/Si double-heterostructures on Si(111) substrates by molecular-beam epitaxy and photoluminescence using time-resolved measurements

著者 (5件)： TAKAUJI M (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SEKI N (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU T (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA F (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  ICHIDA M (Konan Univ., Hyogo, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 96  号： 5  ページ： 2561-2565  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強く[110]/[101]配向したβ-FeSi<sub>2<...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： けい化鉄 ,...

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分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子線エピタクシー ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  成長 ,  光ルミネセンス