分子線エピタクシーによるSi(111)基板上のSi/β-FeSi<sub>2</sub>/Si二重ヘテロ構造の成長と時間分解測定による光ルミネセンス

TAKAUJI M; SEKI N; SUEMASU T; HASEGAWA F; ICHIDA M

文献

J-GLOBAL ID：200902235802600533 整理番号：04A0711779

分子線エピタクシーによるSi(111)基板上のSi/β-FeSi₂/Si二重ヘテロ構造の成長と時間分解測定による光ルミネセンス

Growth of Si/β-FeSi₂/Si double-heterostructures on Si(111) substrates by molecular-beam epitaxy and photoluminescence using time-resolved measurements

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巻： 96 号： 5 ページ： 2561-2565 発行年： 2004年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

強く[110]/[101]配向したβ-FeSi<sub>2<...

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半導体のルミネセンス , 半導体薄膜 , 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合

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分子線エピタクシーによるSi(111)基板上のSi/β-FeSi2/Si二重ヘテロ構造の成長と時間分解測定による光ルミネセンス

分子線エピタクシーによるSi(111)基板上のSi/β-FeSi₂/Si二重ヘテロ構造の成長と時間分解測定による光ルミネセンス