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J-GLOBAL ID：200902236449556793   整理番号：07A0531088

MIM (Metal-Insulator-Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー

Device Technology for embedded DRAM utilizing stacked MIM(Metal-Insulator-Metal) Capacitor

著者 (8件)： 谷川高穂 (NECエレクトロニクス) ,  山縣保司 (NECエレクトロニクス) ,  白井浩樹 (NECエレクトロニクス) ,  杉村啓世 (NECエレクトロニクス) ,  和気智子 (NECエレクトロニクス) ,  井上顕 (NECエレクトロニクス) ,  佐甲隆 (NECエレクトロニクス) ,  坂尾眞人 (NECエレクトロニクス)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 107  号： 1(ICD2007 1-16)  ページ： 17-22  発行年： 2007年04月05日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MIMキャパシタを用いた混載DRAMデバイス技術について報告...

シソーラス用語： *薄膜コンデンサ ,...
準シソーラス用語： HfSiON ,...

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  LCR部品  (NA05030D) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

引用文献 (5件)：

• CROWDER, S. IEDM Tech. Dig., 1998. 1998, 1017-1020
• IWAI, M. Symp. on VLSI Tech., 2004. 2004, 12-13
• WANG, G. Symp. on VLSI Tech., 2005. 2005, 31-32
• ARAI, S. IEDM Tech. Dig., 2001. 2001, 403-406
• YASUDA, Y. IEDM Tech. Dig., 2005. 2005, 73-76

タイトルに関連する用語 (4件)： MIM ,  キャパシタ ,  DRAM ,  テクノロジー