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J-GLOBAL ID：200902236535712471   整理番号：05A0535291

再成長させたオーミック構造をもちAlGaN/GaN絶縁物ゲートでAlGaN/GaNチャネルドープのヘテロ構造電界効果トランジスタ:高温における低いゲート漏れ電流

Al₂O₃/Si₃N₄ Insulated Gate Channel-Doped AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Regrown Ohmic Structure: Low Gate Leakage Current with High Transconductance

著者 (7件)： MAEDA Narihiko (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAKIMURA Takashi (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  WANG Chengxin (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIROKI Masanobu (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAKIMOTO Toshiki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI Takashi (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  ENOKI Takatomo (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 4B  ページ： 2747-2750  発行年： 2005年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新構造のAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(H...

シソーラス用語： 窒化物 ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (30件)：

• KHAN, M. A. IEEE Electron Device Lett. 1996, 17, 325
• BINARI, S. C. Electron Lett. 1997, 33, 242
• WU, Y. F. IEEE Electron Device Lett. 1998, 19, 50
• MAEDA, N. Jpn. J. Appl. Phys. 1999, 38, L987
• MAEDA, N. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1634

タイトルに関連する用語 (11件)： 再成長 ,  もち ,  AlGaN ,  GaN ,  絶縁物 ,  ゲート ,  チャネル ,  ドープ ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  ゲート漏れ電流