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J-GLOBAL ID：200902236603893943   整理番号：09A1072520

FinFET特性の可変性原因の包括解析

Comprehensive Analysis of Variability Sources of FinFET Characteristics

著者 (9件)： MATSUKAWA T. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  O’UCHI S. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  ENDO K. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  ISHIKAWA Y. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  YAMAUCHI H. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  LIU Y.X. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  TSUKADA J. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  SAKAMOTO K. (AIST, Ibaraki, JPN) ,  MASAHARA M. (AIST, Ibaraki, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2009  ページ： 98-99  発行年： 2009年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンドープのチャネルを持つFinFETは,その優れた短チャネル効果への免疫性とランダムなドーパント揺らぎに対するロバスト性のため,将来の縮小CMOSの有力な候補の一と考えられている。この論文では,種々のゲート材料やチャネル構成のアンドープとドープしたFinFETの性能変動を包括的に検討した。その結果,アンドープFinFETに対しては仕事関数の変動が閾電圧変動の主原因であり,ゲート領域の縮小と共に仕事関数が増大することを見出した。また,拡張ドーピング最適化がフィン厚さ揺らぎ等による寄生抵抗の変動を低減した。ゲート長20nmノードのFinFET SRAMの性能予測のためTCADやコンパクトモデルによる解析も行った。

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  可変性 ,  *性能評価 ,  CMOS構造 ,  チャネル ,  仕事関数 ,  ドーピング ,  *電圧変動 ,  最適化 ,  SRAM ,  CAD【計算機】 ,  ゲート絶縁膜 ,  *抵抗低減 ,  *閾値電圧 ,  MOS構造 ,  改変
準シソーラス用語： *FinFET ,  TCAD ,  ゲート長 ,  コンパクトモデル ,  *寄生抵抗

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  CAD,CAM  (JE10000A) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： FinFET ,  可変性 ,  原因 ,  包括解析