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J-GLOBAL ID：200902237850505901   整理番号：07A0067458

完全空乏型SOI MOSFETにおける重イオン誘起過渡電流の時間領域成分解析

Time-Domain Component Analysis of Heavy-Ion-Induced Transient Currents in Fully-Depleted SOI MOSFETs

著者 (7件)： KOBAYASHI Daisuke (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI Daisuke (Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN) ,  AIMI Masahiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAITO Hirobumi (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  SAITO Hirobumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIROSE Kazuyuki (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  HIROSE Kazuyuki (Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 53  号： 6,Pt.1  ページ： 3372-3378  発行年： 2006年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 02μmの完全空乏型SOI MOSFETにおける重イオン誘起...

シソーラス用語： *SOI構造 ,...
準シソーラス用語： *過渡電流 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 完全空乏型SOI ,  MOSFET ,  重イオン ,  誘起 ,  過渡電流 ,  時間領域 ,  解析