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J-GLOBAL ID：200902238220821976   整理番号：04A0211773

エキシマレーザアニーリングによる多結晶Siの核形成に及ぼす水素および熱伝導率の効果

Effect of Hydrogen and Thermal Conductivity on Nucleation of Polycrystalline Si by Excimer Laser Annealing

著者 (7件)： KAWAMOTO N (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  MATSUO N (Himeji Inst. Technol., Himeji, JPN) ,  ABE H (SANYO Electric Co., Ltd., Gifu, JPN) ,  ANWAR F (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  HASEGAWA I (SANYO Electric Co., Ltd., Gifu, JPN) ,  YAMANO K (SANYO Electric Co., Ltd., Gifu, JPN) ,  HAMADA H (SANYO Electric Co., Ltd., Gifu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 1  ページ： 293-298  発行年： 2004年01月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のSi核形成に及ぼす水素の影響を,Ramanスペクトル測...

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

引用文献 (19件)：

• 1) J. S Im, H. J. Kim and M. O. Thompson: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 1969.
• 2) C. H. Oh, M. Ozawa and M. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L492.
• 3) R. Ishihara, A. Burtsev and P. Alkemade: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 3872.
• 4) H. Hamada, H. Abe and Y. Miyai: Trans. IEICE J84 (2001) 65.
• 5) N. Matsuo, A. Kinugasa, Y. Aya, T. Kanamori, T. Nouda and H. Hamada: Trans. IEICE J80 (1997) 245.

タイトルに関連する用語 (4件)： 多結晶Si ,  核形成 ,  水素 ,  熱伝導率