文献

J-GLOBAL ID：200902114564155834   整理番号：98A0605260

シリコン薄膜の新しい位相変調エキシマレーザ結晶化法

A Novel Phase-Modulated Excimer-Laser Crystallization Method of Silicon Thin Films.

著者 (3件)： OH C-H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OZAWA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MATSUMURA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 5A  ページ： L492-L495  発行年： 1998年05月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス質基板上のシリコン薄膜の結晶粒粗大化を起こさせるために...

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,...
準シソーラス用語： 位相シフトマスク

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (10件)：

• 1) N. Yamauchi and R. Reif: J. Appl. Phys. 75 (1994) 3235
• 2) S. W. Lee, Y. C. Jeon and S. K. Joo: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1671
• 3) T. Sameshima, M. Hara, N. Sano and S. Usui: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L1363.
• 4) R. Ishihara and M. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 6167
• 5) H. Kuriyama, S. Kiyama, S. Noguchi and S. Nakano: IEEE IEDM (1991) 563.

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン薄膜 ,  位相変調 ,  エキシマレーザ ,  結晶化