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J-GLOBAL ID：200902241355895113   整理番号：06A0421135

FePt磁気フローティングゲートを備えた新しい磁気フラッシュメモリー

New Magnetic Flash Memory with FePt Magnetic Floating Gate

著者 (7件)： YIN Cheng-Kuan (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  BEA Ji-Chel (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Sendai, JPN) ,  HONG Youn-Gi (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Sendai, JPN) ,  FUKUSHIMA Takafumi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NATORI Kenji (Tsukuba Univ., Ibaraki, JPN) ,  KOYANAGI Mitsumasa (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45  号： 4B  ページ： 3217-3221  発行年： 2006年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FePt磁気フローティングゲートを備えた新しい磁気フラッシュ...

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (12件)：

• M. Takada, S. Kondoh, T. Sakaguchi, H. Choi, J.-C. Shim, H. Kurino and M. Koyanagi: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 553.
• T. Sakaguchi. Y. G. Hong, M. Kobayashi, H. Choi, J. C. Shim, H. Kurino and M. Koyanagi: Jpn. J. Appl. Phys.43(2004)2203
• P. T. L. Minh, N. P. Thuy and N. T. N. Chan: J. Magn. Magn. Mater.277(2004)187.
• T. Shima, K. Takanashi, Y. K. Takahashi, K. Hono, G. Q. Li and S. Ishio: J. Magn. Magn. Mater.266(2003)171.
• S. Sun, C. B. Muray, D. Weller, L. Folks and A. Moser: Science 287(2000)1989.

タイトルに関連する用語 (3件)： 磁気 ,  フローティングゲート ,  フラッシュメモリー