文献

J-GLOBAL ID：200902241459709036   整理番号：06A1031076

Pt/(Y,Tb)MnO₃/HfO₂/Si構造用HfO₂層の小型化

Downsizing of HfO₂ Layer for Pt/(Y,Yb)MnO₃/HfO₂/Si Structure

著者 (4件)： SUZUKI Kazuyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN) ,  NISHIZAWA Kaori (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN) ,  MIKI Takeshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN) ,  KATO Kazumi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45  号： 9B  ページ： 7332-7335  発行年： 2006年09月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルコキシ誘導前駆体溶液により強誘電(Y,Tb)MnO<su...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： 化学溶液法

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分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (20件)：

• J. L. Moll and Y. Tarui: IEEE Trans. Electron Devices 10(1963)338.
• G. A. Smolenskii and V. A. Bokov: J. Appl. Phys.35(1964)915.
• H. N. Lee, Y. T. Kim and S. H. Choh: Appl. Phys. Lett.76(2000)1066.
• N. Fujimura, T. Ishida, T. Yoshimura and T. Ito: Appl. Phys. Lett.69(1996)1011.
• D. Ito, N. Fujimura, K. Kakuno and T. Ito: Ferroelectrics 271(2002)87.

タイトルに関連する用語 (4件)： Pt ,  Tb ,  HfO2 ,  Si