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J-GLOBAL ID:200902242149924065   整理番号:05A0013140

イオン衝撃遅延エッチングの使用により作製した超薄縦型DG MOSFET

Ultrathin Channel Vertical DG MOSFET Fabricated by Using Ion-Bombardment-Retarded Etching
著者 (9件):
資料名:
巻: 51  号: 12  ページ: 2078-2085  発行年: 2004年12月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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縦型ダブルゲート(DG)MOSFET向き超薄チャネル形成プロ...
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  固体デバイス製造技術一般 

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