イオン衝撃遅延エッチングの使用により作製した超薄縦型DG MOSFET

文献

J-GLOBAL ID：200902242149924065 整理番号：05A0013140

Ultrathin Channel Vertical DG MOSFET Fabricated by Using Ion-Bombardment-Retarded Etching

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著者 (9件)：

MASAHARA M

MASAHARA M について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)