文献

J-GLOBAL ID：200902243550136823   整理番号：06A1031898

181GHzの電流利得遮断周波数をもつ30nmゲートAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ

30-nm-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with a Current-Gain Cutoff Frequency of 181 GHz

著者 (4件)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MIMURA Takashi (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MIMURA Takashi (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  MATSUI Toshiaki (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 45  号： 42-45  ページ： L1111-L1113  発行年： 2006年11月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,ゲート長(L_G)30nmのA...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： HFET ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A1031898&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• MICOVIC, M. Electron. Lett. 2000, 36, 358
• KUMAR, V. IEEE Electron Device Lett. 2002, 23, 455
• ENDOH, A. Phys. Status Solidi C. 2003, 0, 2368
• PALACIOS, T. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 13
• HIGASHIWAKI, M. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 16

タイトルに関連する用語 (7件)： 電流利得 ,  遮断周波数 ,  ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ