Siウエハ上のチタン酸鉛における残留応力におよぼすバックエッチングの影響

OHNO T; SUZUKI H; MASUI H; ISHIKAWA K; FUJIMOTO M

文献

J-GLOBAL ID：200902246336377170 整理番号：04A0794076

Siウエハ上のチタン酸鉛における残留応力におよぼすバックエッチングの影響

Effect of Back-Etching on Residual Stress in Lead Titanate Thin Films on Si Wafer

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Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

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巻： 43 号： 9B ページ： 6549-6553 発行年： 2004年09月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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引用文献 (18件)：

1) K. Yamakawa, K. Imai, O. Arisumi, T. Arikado. M. Yoshikawa, T. Owada and K. Okumura: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 2630.
2) S. Li and S. Chen: Sens. & Actuat. A <B>104</B> (2003) 151.
3) L. Sun, Y. F. Chen, L. He, C. Z. Ge, D. S. Ding, T. Yu, M. S. Zhang and N. B. Ming: Phys. Rev. B 55 (1997) 12218.
4) D. S. Fu, T. Ogawa, H. Suzuki and K. Ishikawa: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1532.
5) E. Atar, C. Sarioglu, U. Demirler, E. S. Kayali and H. Cimenoglu: Scripta Mater. 48 (2003) 1331.

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