文献

J-GLOBAL ID：200902246474315313   整理番号：09A0334316

インデント誘導固相結晶化による絶縁体上のSiGe結晶結晶粒の位置制御した成長

Position-Controlled Growth of SiGe Crystal Grains on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization

著者 (3件)： TOKO Kaoru (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SADOH Taizoh (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 3,Issue 3  ページ： 03B007.1-03B007.4  発行年： 2009年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁基板上でSi_1-xGe_x(x:0~1)の位置制御した結晶成長を達成するためインデント誘導固相結晶化(SPC)を提案した。全てのGe分率に亘って大きいSiGe結晶粒(>2μm)が触媒金属を使うことなく制御した位置に成長することを結果が示した。それに加えて,低いGe分率(<30%)のンプルで結晶領域は,主に(111)方向に配向した。インデント誘導SPCのインキュベーション時間はNi-インプリント誘導SPCのインキュベーション時間より長いが,インデント誘導SPCは,結晶粒がトランジスタ性能を劣化する金属を含まないので魅力的である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,  *ゲルマニウム合金 ,  位置 ,  *結晶成長 ,  基板 ,  結晶化 ,  結晶粒 ,  ニッケル

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (24件)：

• M. Miyao, T. Sadoh, S. Yamaguchi, and S. K. Park: Tech. Rep. IEICE 101(2001)1 [in Japanese].
• S. Yamaguchi, N. Sugii, K. Park, K. Nakagawa, and M. Miyao: J. Appl. Phys.89(2001)2091.
• J. Olivares, A. Rodriguez, J. Sangrador, T. Rodriguez, C. Ballesteros, and A. Kling: Thin Solid Films 337(1999)51.
• T. Noguchi, H. Hayashi, and T. Ohshima: Jpn. J. Appl. Phys.25(1986) L121.
• J. A. Tsai, A. J. Tang, T. Noguchi, and R. Reif: J. Electrochem. Soc.142(1995)3220.

タイトルに関連する用語 (9件)： 誘導 ,  固相 ,  結晶化 ,  絶縁体 ,  SiGe ,  結晶 ,  結晶粒 ,  位置制御 ,  成長