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J-GLOBAL ID：200902246785911211   整理番号：03A0773190

パルス時間幅変調塩素プラズマを用いた高度に異方的な腐食を伴わないPtMnのエッチング

Highly Anisotropic and Corrosionless PtMn Etching Using Pulse-Time-Modulated Chlorine Plasma

著者 (3件)： SAMUKAWA S (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KUMAGAI S (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIRAIWA T (Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 10B  ページ： L1272-L1274  発行年： 2003年10月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気抵抗ランダムアクセスメモリなどに使われだしたPtMn膜は...

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,...

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分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• 1) R. R. Katti: J. Appl. Phys. 91 (2002) 7245.
• 2) N. Hasegawa, Y. Kawawake, M. Satomi and H. Sakakima: IEEE Trans. Magn. 32 (1995) 4918.
• 3) Y. Sugita, Y. Kawawake, M. Satomi and H. Sasakima: J. Appl. Phys. 89 (2001) 6919.
• 4) S. Samukawa: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 3398.
• 5) S. Samukawa, H. Ohtake and T. Mieno: J. Vac. Sci. & Technol. A <B>14</B> (1996) 3049.

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス ,  変調 ,  塩素 ,  プラズマ ,  腐食 ,  エッチング