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J-GLOBAL ID:200902247274572776   整理番号:04A0532374

Siフィンチャネル厚みを8.5nmにした高度しきい値電圧制御可能な4T FinFET

A Highly Threshold Voltage-Controllable 4T FinFET with an 8.5-nm-Thick Si-Fin Channel
著者 (7件):
資料名:
巻: 25  号:ページ: 510-512  発行年: 2004年07月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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方位に依存する湿式エッチング法を利用して,Siフィン厚みを積...
シソーラス用語:
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準シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
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トランジスタ 

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