Siフィンチャネル厚みを8.5nmにした高度しきい値電圧制御可能な4T FinFET

文献

J-GLOBAL ID：200902247274572776 整理番号：04A0532374

A Highly Threshold Voltage-Controllable 4T FinFET with an 8.5-nm-Thick Si-Fin Channel

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著者 (7件)：

LIU Y

LIU Y について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)