深UVリソグラフィーのための化学増幅を用いる表面シリル化1重層レジスト:IIIb。PAGとその含量の最適化

SUGITA K; MIYATA H; HARADA K; KUSHIDA M; SAITO K

文献

J-GLOBAL ID：200902248001882159 整理番号：04A0504166

深UVリソグラフィーのための化学増幅を用いる表面シリル化1重層レジスト:IIIb。PAGとその含量の最適化

A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep UV Lithography: IIIb. Optimization of PAG and Its Content

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著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 17 号： 3 ページ： 373-378 発行年： 2004年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

PAGを含むポリビニルフェノールの厚い1重層がHMDSで均一...

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固体デバイス製造技術一般 , その他の高分子の反応

引用文献 (9件)：

1) K. Sugita, M. Yamashita, C. M. Liew, K. Harada, M. Kushida, and K. Saito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40 (2001), 6658-6662.
2) K. Sugita, M. Yamashita, K. Harada, M. Kushida, and K. Saito, J. Photopolym. Sci. Technol., 13 (2002), 367-370. input-division=E
3) S. Kishimura, M. Sasago, M. Shirai, and M. Tsunooka, Jpn. J. Appl. Phys., 38 (1999) 7104.
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5) H. Ito, E. Flores and A. F. Ronaldo, J. Electrochem. Soc., 135 (1988) 2322-2327.

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