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J-GLOBAL ID：200902249190057259   整理番号：09A0224500

半導体における電子スピン/核スピン相互作用とNMR

Electron-spin/nuclear-spin interactions and NMR in semiconductors

著者 (10件)： HIRAYAMA Y (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  HIRAYAMA Y (JST-ERATO, Miyagi, JPN) ,  YUSA G (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  YUSA G (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  YUSA G (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  HASHIMOTO K (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  HASHIMOTO K (JST-ERATO, Miyagi, JPN) ,  KUMADA N (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  OTA T (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MURAKI K (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 24  号： 2  ページ： 023001,1-22  発行年： 2009年02月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体における電子スピン/核スピン相互作用を用いて,電気抵抗を検出することに基づく新しい高感度のNMR法を紹介した。電気抵抗は単一層でも測定でき,NMRの機能を多くの半導体のヘテロ構造およびナノ構造に適用することができた。ナノスケール領域で,いくつかの核スピンのコヒーレント制御を示した。NMRスペクトルと核スピン緩和を用いて,半導体物理,とくにヘテロ構造における電子スピン特性を調べることを紹介した。通常の輸送特性や光学測定では検出が困難な,平面対称性の破れによるGoldstoneモードも,核スピンベースの測定を用いて検出することができた。最後に,核スピン操作および核スピンベースの測定の将来の可能性についても論じた。

シソーラス用語： 素子構造 ,  電子スピン ,  *核スピン ,  *スピン-スピン相互作用 ,  *NMR【磁気共鳴】 ,  *電気抵抗 ,  ナノ構造 ,  面対称性 ,  *半導体 ,  磁気緩和 ,  ヘテロ構造
準シソーラス用語： スピン緩和 ,  平面対称性

分類 (2件)： その他の無機化合物のNMR  (BM07043Z) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電子スピン ,  NMR