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J-GLOBAL ID：200902251703708069   整理番号：04A0196404

多層チャネルMOSFETの提案 Si/SiGe積層への選択エッチング適用

Proposal of a multi-layer channel MOSFET: the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers

著者 (5件)： SASAKI D (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OHMI S (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SAKURABA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MUROTA J (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAKAI T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 224  号： 1/4  ページ： 270-273  発行年： 2004年03月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来のCMOS用として多層チャネル(ML)-MOSFETとそ...

シソーラス用語： *多層膜 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多層 ,  チャネル ,  MOSFET ,  提案 ,  Si ,  SiGe ,  選択エッチング