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J-GLOBAL ID：200902251703708069   整理番号：04A0196404

多層チャネルMOSFETの提案 Si/SiGe積層への選択エッチング適用

Proposal of a multi-layer channel MOSFET: the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers
著者 (5件)：
SASAKI D

SASAKI D について

(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)

Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN について

, 
OHMI S

OHMI S について

(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)

Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN について

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SAKURABA M

SAKURABA M について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

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MUROTA J

MUROTA J について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

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SAKAI T

SAKAI T について

(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)

Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN について


資料名：
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

Applied Surface Science について


巻： 224  号： 1/4  ページ： 270-273  発行年： 2004年03月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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将来のCMOS用として多層チャネル(ML)-MOSFETとそ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*多層膜

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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PMOS構造

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

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タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
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チャネル

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MOSFET

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提案

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Si

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SiGe

SiGe について

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選択エッチング

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