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J-GLOBAL ID：200902253963118373   整理番号：06A0746150

(411)A InGaAs/InAlAs変調ドープ歪量子井戸構造における異方性評価

著者 (3件)： 楠真一郎 (大阪大 大学院) ,  北田貴弘 (徳大 大学院) ,  下村哲 (愛大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 67th  号： 1  ページ： 287  発行年： 2006年08月29日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,...
準シソーラス用語： 変調ドープ

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAs ,  InAlAs ,  変調ドープ ,  歪 ,  量子井戸 ,  異方性 ,  評価