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J-GLOBAL ID：200902254836898854   整理番号：04A0701413

テンプレート合成アプローチを経た非リソグラフィー的なSiO₂ナノドットアレイ

Nonlithographic SiO₂ Nanodot Arrays via Template Synthesis Approach

著者 (6件)： CHA Y K (Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Suwon, KOR) ,  SEO D (Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Suwon, KOR) ,  YOO I K (Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Suwon, KOR) ,  PARK S (Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Suwon, KOR) ,  JEONG S-H (Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Suwon, KOR) ,  CHUNG C W (Inha Univ., Incheon, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 8A  ページ： 5657-5659  発行年： 2004年08月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂ナノドットアレイを,自己組織化...

シソーラス用語： *量子ドット ,...
準シソーラス用語： *陽極酸化 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (10件)：

• 1) D. Routkevitch, A. A. Tager, J. Haruyama, D. Almawlawi, M. Moskovits and J. M. Xu: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 1646.
• 2) H. Deckman and J. H. Dunsmuir: Appl. Phys. Lett. 41 (1982) 377.
• 3) K. Douglas, G. Devaud and N. Clark: Science 257 (1992) 642.
• 4) H. Masuda, H. Tanaka and N. Baba: Bull. Chem. Soc. Jpn. 66 (1993) 305.
• 5) S. Shingubara, O. Okino, Y. Sayama, H. Sakaue and T. Takahagi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 7791.

タイトルに関連する用語 (4件)： テンプレート合成 ,  リソグラフィー ,  SiO2 ,  ナノドットアレイ