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J-GLOBAL ID：200902255143731324   整理番号：09A0812732

電流注入下のp型/ユウロピウムドープ/n型窒化ガリウム発光ダイオードからの室温赤色発光

Room-Temperature Red Emission from a p-Type/Europium-Doped/n-Type Gallium Nitride Light-Emitting Diode under Current Injection

著者 (5件)： NISHIKAWA Atsushi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAWASAKI Takashi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FURUKAWA Naoki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TERAI Yoshikazu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FUJIWARA Yasufumi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 7  ページ： 071004.1-071004.3  発行年： 2009年07月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシー(OMVPE)で成長させたユウロピウム(Eu)ドープGaN層の成長に成功し,p型/Euドープ/n型窒化ガリウム発光ダイオード(LED)からの電流注入赤色発光の低電圧動作を室温で初めて実証した。通常の発光条件下で3Vの低い印加電圧で明るい赤色発光を得た。20mAの直流電流で,Eu³⁺イオンの⁵D₀-⁷F₂遷移(約621nm)にわたり積分した出力パワーは0.3μWであった。本結果はGaN系赤色LED及び赤,緑,青GaN系LEDからなるモノリシック素子を実現する新しい方法を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 注入 ,  *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  赤 ,  MOCVD ,  半導体集積回路 ,  ドーピング ,  ユウロピウム ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  電圧 ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： 電流注入 ,  低電圧

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (16件)：

• STECKL, A. J. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2002, 8, 749
• STECKL, A. J. Mater. Today. 2007, 10, 7-8, 20
• FAVENNEC, P. N. Electron. Lett. 1989, 25, 718
• KOIZUMI, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 2223
• KOIZUMI, A. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 4521

タイトルに関連する用語 (7件)： 電流注入 ,  ユウロピウム ,  ドープ ,  窒化ガリウム ,  発光ダイオード ,  室温 ,  赤色発光