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J-GLOBAL ID：200902256201752783   整理番号：08A0657819

レジスト中の光電子飛跡追跡による極端紫外線リソグラフィーのシミュレーション

Extreme Ultraviolet Lithography Simulation by Tracing Photoelectron Trajectories in Resist

著者 (6件)： KOTERA Masatoshi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  YAGURA Kei (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  YAGURA Kei (NuFlare Technol., Inc., Shizuoka, JPN) ,  TANAKA Hiroyuki (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  KAWANO Daichi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  MAEKAWA Takeshi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 6 Issue 2  ページ： 4944-4949  発行年： 2008年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現像後のレジストパターンの粗さを評価するために,時間依存レジスト発展シミュレーションに基づいて極端紫外線で励起した光電子の飛跡を追跡し,レジストパターンの質を論じた。Hartree-Fock-Slater(HFS)ポテンシャルを持つSchroedinger方程式を解いて,ポリメタクリル酸メチル(PMMA)とSi中の原子の全ての内殻の結合エネルギー及び光イオン化断面積(双極子振動強度)を得た。光電子放出の角分布も考慮した。発生位置からの光電子飛程はPMMA中で約30nmであった。極端紫外線露光が方形波強度分布を有するとき,クリティカルディメンジョン(CD)誤差とラインエッジ粗さ(LER)はほぼ無視できる。空間像が横方向に正弦的であるときは,コントラストが1であっても,パターンは大きく歪む。コントラストが0.5のとき,<5.0mJ/cm²の露光量ではパターンは殆ど形成されない。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  *表面粗さ ,  計算機シミュレーション ,  極端紫外線 ,  光電子 ,  粒子飛跡 ,  Schroedinger方程式 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  回路パターン形成 ,  長さ ,  コントラスト ,  *フォトリソグラフィー ,  光イオン化 ,  結合エネルギー ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： ラインエッジ粗さ ,  クリティカルディメンジョン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (16件)：

• T. Kozawa, Y. Yoshida, M. Uesaka, and S. Tagawa: Jpn. J. Appl. Phys.31(1992)4301.
• K. Murata: J. Appl. Phys.57(1985)575.
• K. Murata, M. Kotera, K. Nagami, and S. Namba: IEEE Trans. Electron Devices 32(1985)1694.
• T. Kozawa, A. Saeki, and S. Tagawa: J. Vac. Sci. Technol. B 22(2004)3489.
• E. W. Scheckier, T. Ogawa, H. Yamanashi, T. Soga, and M. Ito: J. Vac. Sci. Technol. B 12(1994)2361.

タイトルに関連する用語 (6件)： レジスト ,  光電子 ,  飛跡 ,  追跡 ,  極端紫外線リソグラフィー ,  シミュレーション