走査型非線形誘電顕微鏡法を用いた二重ゲート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの垂直方向超薄チャネルにおけるドーパントプロファイリング

MASAHARA M; HOSOKAWA S; MATSUKAWA T; ENDO K; NAITOU Y; TANOUE H; SUZUKI E

文献

J-GLOBAL ID：200902256412029735 整理番号：04A0858935

走査型非線形誘電顕微鏡法を用いた二重ゲート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの垂直方向超薄チャネルにおけるドーパントプロファイリング

Dopant profiling in vertical ultrathin channels of double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by using scanning nonlinear dielectric microscopy

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MASAHARA M

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(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)