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J-GLOBAL ID：200902256831641300   整理番号：05A0879459

金属有機化学蒸着によって合成された金属ゲート電極としてのHfCN薄膜の電気と熱的安定性の特性化

Electrical and Thermal Stability Characteristics of HfCN Films as Metal Gate-Electrode Synthesized by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

著者 (4件)： WANG Wenwu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NABATAME Toshihide (AIST, Tsukuba, JPN) ,  HANEJI Nobuo (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SHIMOGAKI Yukihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 28-32  ページ： L1019-L1021  発行年： 2005年08月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハフニウム窒化カーボン(HfCN)薄膜について検討した。これ...

シソーラス用語： *炭素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (16件)：

• 1) B. Doyle, R. Arghavani, D. Barlage, S. Datta, M. Doczy, J. Kavalieros, A. Murthy and R. Chau: Intel. Tech. J. 6 (2002) 42.
• 2) H. Hu, C. X. Zhu, Y. F. Lu, Y. H. Wu, T. Liew, M. F. Li, B. J. Cho, W. K. Choi and N. Yakovlev: J. Appl. Phys. 94 (2003) 551.
• 3) R. B. Fair: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 244.
• 4) C. H. Choi, P. R. Chidambaram and R. Khamankar: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 224.
• 5) J. Schaeffer, N. V. Edwards, R. Liu, D. Roan and R. Gregory: J. Electrochem. Soc. 150 (2003) F67.

タイトルに関連する用語 (5件)： 金属有機化学蒸着 ,  ゲート電極 ,  薄膜 ,  熱的安定性 ,  特性化